參考周期：常規(guī)試驗(yàn)7-15工作日,，加急試驗(yàn)5個(gè)工作日,。

注意：因業(yè)務(wù)調(diào)整,暫不接受個(gè)人委托測(cè)試,望諒解(高校、研究所等性質(zhì)的個(gè)人除外),。

檢測(cè)項(xiàng)目

1.磁場(chǎng)強(qiáng)度均勻性：測(cè)量范圍0.1-2.0T（特斯拉）,，軸向偏差≤3%

2.溫度梯度控制精度：垂直方向梯度5-100K/cm，波動(dòng)值＜0.5K/cm

3.晶體生長(zhǎng)速率：標(biāo)定范圍0.1-10mm/min,，分辨率0.01mm

4.熔體對(duì)流穩(wěn)定性：渦流強(qiáng)度測(cè)量精度0.05m/s

5.晶體缺陷密度：位錯(cuò)密度檢測(cè)下限≤10^3/cm

檢測(cè)范圍

1.半導(dǎo)體單晶材料：硅(Si),、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)等III-V族化合物

2.金屬單晶材料：鎳基高溫合金,、鈦鋁合金定向凝固件

3.光學(xué)晶體：藍(lán)寶石(Al?O?),、氟化鈣(CaF?)等人工晶體

4.超導(dǎo)材料：釔鋇銅氧(YBCO)等氧化物超導(dǎo)單晶

5.磁性功能材料：釹鐵硼(NdFeB)永磁體定向結(jié)晶組織

檢測(cè)方法

1.ASTMF1213-18《晶體生長(zhǎng)過(guò)程磁場(chǎng)環(huán)境參數(shù)測(cè)定規(guī)范》

2.ISO16837:2019《材料加工用電磁場(chǎng)測(cè)量通用要求》

3.GB/T13301-2020《金屬單晶缺陷密度測(cè)定方法》

4.GB/T39123-2020《半導(dǎo)體材料結(jié)晶取向X射線衍射分析法》

5.ISO21748:2017《定向凝固過(guò)程熱力學(xué)參數(shù)測(cè)量指南》

檢測(cè)設(shè)備

1.OxfordInstrumentsM1-1000型高精度電磁鐵系統(tǒng)（最大場(chǎng)強(qiáng)2.5T）

2.ThermoScientificTGC-2000溫度梯度控制裝置（控溫精度0.1K）

3.BrukerD8ADVANCEX射線衍射儀（晶體取向分析）

4.KeysightN5227A矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀（電磁場(chǎng)分布測(cè)量）

5.ZeissSigma500場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（缺陷形貌觀測(cè)）

6.MalvernPanalyticalEmpyreanX射線拓?fù)鋬x（位錯(cuò)密度測(cè)定）

7.FLIRA655sc紅外熱像儀（溫度場(chǎng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)）

8.Agilent34972A數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（多通道參數(shù)記錄）

9.ShimadzuAG-Xplus電子萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)（力學(xué)性能聯(lián)測(cè)）

10.RenishawinViaQontor共聚焦拉曼光譜儀（應(yīng)力分布分析）

北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所【簡(jiǎn)稱：中析研究所】

報(bào)告：可出具第三方檢測(cè)報(bào)告(電子版/紙質(zhì)版)。

檢測(cè)周期：7~15工作日,，可加急,。

資質(zhì)：旗下實(shí)驗(yàn)室可出具CMA/CNAS資質(zhì)報(bào)告。

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試：嚴(yán)格按國(guó)標(biāo)/行標(biāo)/企標(biāo)/國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè),。

非標(biāo)測(cè)試：支持定制化試驗(yàn)方案,。

售后：報(bào)告終身可查，工程師1v1服務(wù),。

中析儀器 資質(zhì)